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概述紅外光譜技術利用紅外光與物質相互作用實現(xiàn)物質光譜特征的測量。紅外光通常所指的是波長在780nm~1mm之間光譜范圍很寬的電磁波。1800年左右，英國天文學家威廉-赫歇爾因紅外光的熱效應發(fā)現(xiàn)了紅外光,從此開啟了紅外光譜的征程。日常的紅外熱成像儀就是利用紅外相機對人體發(fā)出的紅外光進行成像，只是沒有光譜分辨。根據(jù)紅外光與化學物相互作用的特點，進一步分為近紅外光(NIR,12500~4000cm-1)、中紅外(MIR,4000~400cm-1)以及遠紅外波段(FIR,400~10...

近年來，第五代(5G)無線技術加速了全球信息的傳輸，但也造成了嚴重的電磁污染。研制高效的電磁波吸收材料對人體健康保護和抗電磁干擾具有重要意義。一般來說，5G信號落在微波頻段，特別是在低頻區(qū)域。因此，如何提高其低頻微波吸收性能成為當前研究的關鍵問題之一?；谔技{米線圈(CNC)的手性-介電-磁性三位一體復合材料的制備在低頻微波吸收領域具有潛力。然而，不同的磁系統(tǒng)對復合材料的磁響應和頻率響應的影響尚不清楚。分享一篇來自大連理工大學潘路軍教授課題組在低頻微波吸收復合材料的相關研究，...

技術介紹：等離子體是一種內部包括大量電子、離子、原子、分子的混合物，呈現(xiàn)電導性，被看作是除固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài)三種物質形態(tài)外的第四種形態(tài)，其性質與其他三種物質存在形態(tài)有很大差異。氣體溫度、電子密度是表征等離子體的基本參數(shù)。對這些參數(shù)的測量，是研究等離子體的重要過程。氣體溫度的確定通常使用分子譜帶擬合的方法[1-2]。該方法主要基于分子轉動能級的數(shù)量分布與周圍重粒子熱運動（由氣體溫度決定）直接相關的原理，當分子轉動能級的數(shù)量分布達到熱平衡狀態(tài)時，分子轉動溫度與等離子體的氣體溫度一致...

激光損傷閾值檢測的英文名稱是Laser-InducedDamageThreshold(LIDT)，損傷閾值是高等級光學器件的一個關鍵參數(shù)，常見的標注方式是連續(xù)激光輻射下的損傷閾值單位W/cm2，以及脈沖激光輻射下的損傷閾值單位J/cm2。以激光損傷的簡單原因來看：對于連續(xù)波激光輻射誘導的激光損傷，一般是激光誘導的熱累積在光學基片內部，或者在表面鍍膜，在光學鏡片間的膠結劑層等等，當熱累積到一定程度且來不及傳導出去時會發(fā)生的損傷。而脈沖激光輻射誘導的激光損傷，相對而言就會復雜一些...

背景：太赫茲(THz)波是指頻率在0.1~10THz(波長為3000～30μm)范圍內的電磁波，在長波段與毫米波相重合，在短波段與紅外光相重合，是宏觀經(jīng)典理論向微觀量子理論的過渡區(qū)，也是電子學向光子學的過渡區(qū)，稱為電磁波譜的“太赫茲空隙(THzgap)”。正文：太赫茲波段相比于傳統(tǒng)的輻射源，太赫茲有很多優(yōu)勢。其中一個就是它的穿透性好。這個穿透性是和誰相比呢？是指和可見光相比，太赫茲對某些介質的穿透性更強。具體來說，太赫茲對非極性介質具有很好的穿透性。比如我們身上穿的這些衣物、...

很多對于空氣敏感的樣品，需要進行惰性氣體的保護。如金屬有機框架材料（MOFs）、鈣鈦礦、近紅外量子點等。這些材料一旦接觸空氣，就會迅速發(fā)生氧化還原、水解或其他化學反應，從而破壞其性能。手套箱是可以在一個相對封閉的空間內，創(chuàng)造出特定的氣體氛圍，如低氧、無水、高純度惰性氣體等環(huán)境，以便進行對空氣敏感的材料處理、實驗操作等。同樣，為了保證樣品測試過程中的穩(wěn)定性，*理想的情況是把所用的測試儀器安裝在手套箱內，在手套箱中完成樣品的測試過程。卓立漢光針對以上需求推出了與手套箱聯(lián)用的顯微原...

近日，長春應化所秦川江研員團隊在手性準二維發(fā)光二極管方面取得重要進展，研究成果以“Chiralquasi-2Dperovskitesbasedsinglejunctionspin-light-emittingdiodes”為題發(fā)表在國際著名期刊AdvancedFunctionalMaterials上。長春應用化學研究所為該論文第一單位，李彬和博士為第一作者，秦川江研究員、王愷教授為共同通訊作者。今天小卓為大家分享該研究成果，希望對您的科學研究或工業(yè)生產(chǎn)帶來一些靈感和啟發(fā)。應用...

我司合作研制的深紫外共焦光致發(fā)光（PL）譜儀迎來新的里程碑——在客戶處安裝調試過程中，在低溫下測試到了氮化鋁（AlN）的帶邊發(fā)光。突破了長期以來對于AlN的帶邊峰，到底是樣品不好發(fā)不出光來還是設備不好測不出來的羅生門。如圖1所示，在同一變溫樣品臺上同時就近擺放一塊AlN樣品和一塊Al0.7Ga0.3N樣品作為對比。以194.5nm的深紫外飛秒激光器激發(fā)，在-190℃的低溫下，AlN樣品在約198nm的位置處顯示出了明顯的帶邊發(fā)光峰，經(jīng)過擬合峰位為198.3nm，而在對比樣品上...