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拉曼光譜法是研究化合物分子受光照射后所產(chǎn)生的散射，散射光與入射光能級(jí)差和化合物振動(dòng)頻率、轉(zhuǎn)動(dòng)頻率的關(guān)系的分析方法。與紅外光譜類似，拉曼光譜是一種振動(dòng)光譜技術(shù)。所不同的是，前者與分子振動(dòng)時(shí)偶極矩變化相關(guān)，而拉曼效應(yīng)則是分子極化率改變的結(jié)果，被測(cè)量的是非彈性的散射輻。激光拉曼光譜儀發(fā)出一定波長(zhǎng)的電磁波作用于被研究物質(zhì)的分子，引起分子相應(yīng)能級(jí)的躍遷，產(chǎn)生分子吸收光譜。引起分子電子能級(jí)躍遷的光譜稱電子吸收光譜，其波長(zhǎng)位于紫外～可見光區(qū)，故稱紫外-可見光譜。電子能級(jí)躍遷的同時(shí)伴有振動(dòng)能...

由于可以廣泛用于光學(xué)成像，空間光通信、定位導(dǎo)航等領(lǐng)域，作為現(xiàn)代光電設(shè)備中關(guān)鍵組件的光電探測(cè)器（PD）近年來已引起越來越多的研究興趣。目前，商用光電探測(cè)器主要基于Si光電二極管，是因?yàn)樗牡统杀竞团c高度成熟的硅工藝帶來的高度兼容性。在280nm以下的波長(zhǎng)下工作的深紫外光電探測(cè)器（深紫外光PD）尚未十分成熟，它們是近年來在火焰探測(cè)，機(jī)密空間通信，深紫外線成像機(jī)方面具有潛在應(yīng)用的研究熱點(diǎn)。能隙為4.7-4.9eV的Ga2O3材料，由于其高輻射耐受性，高熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性以及在深紫...

近年來，柔性表面增強(qiáng)拉曼(SERS)基底受到極大關(guān)注，尤其面對(duì)表面污染殘留物的檢測(cè)，可直接擦拭檢測(cè)，且無損或極小損傷。目前常用的有紙基、玻璃纖維、棉織布等，制備方法主要是將貴金屬納米粒子組裝在柔性基質(zhì)表面。然而由于貴金屬粒子裸露在表面，缺乏必要的保護(hù)，擦拭檢測(cè)后貴金屬粒子易受到損害，僅一次性使用，難于重復(fù)使用，難于滿足一些特殊的、惡劣環(huán)境（如抗超聲破壞、強(qiáng)酸堿介質(zhì)、高溫低溫環(huán)境）的應(yīng)用需求。聚二甲基硅氧烷(PDMS)具有無毒、化學(xué)穩(wěn)定、柔性、韌性、可拉伸、疏水性等特點(diǎn)，不僅有...

Ga2O3有著4.7-5.2eV的寬禁帶，本質(zhì)上適合日盲光電探測(cè)器。Ga2O3有五種同構(gòu)異形體，單斜β-Ga2O3薄膜因其高溫度穩(wěn)定性已經(jīng)有了大量的研究。其他相，特別是α-、γ-、δ-和ε-Ga2O3很少被研究。最近由于ε-Ga2O3其有高度對(duì)稱的六面體結(jié)構(gòu)，有可能將氮化物和ε-Ga2O3結(jié)合起來，形成致力于光電應(yīng)用的III-氧化物/III-氮化物異質(zhì)結(jié)器件結(jié)構(gòu)，因此而廣受科研工作者關(guān)注。在本文中，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組通過氯化物輔助MOCVD，成功地生長(zhǎng)出了在c-平面...

引言PdSe2是一種具有*五邊形褶皺結(jié)構(gòu)的二維材料，具備高遷移率、空氣穩(wěn)定和可調(diào)帶隙等優(yōu)良性能，之前的研究大多數(shù)都是基于光導(dǎo)、光門控和光伏效應(yīng)的探測(cè)機(jī)理。因此依賴于外加偏壓或者內(nèi)接電場(chǎng)來分離電子和空穴，高接觸電阻、低響應(yīng)度和響應(yīng)慢等劣勢(shì)阻礙了PdSe2的進(jìn)一步應(yīng)用。近期，安徽大學(xué)李亮課題組通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長(zhǎng)了高度各向異性的二維PdSe2晶體，基于光電熱效應(yīng)制備了基于零偏壓驅(qū)動(dòng)的二維偏振光電探測(cè)器，可實(shí)現(xiàn)在零偏壓下探測(cè)超寬范圍波長(zhǎng)甚至是任意波長(zhǎng)，該探測(cè)器具有超寬范圍響應(yīng)、...

介紹阻礙光伏器件性能提升的一個(gè)重要因素是低于光伏材料帶隙的低能紅外光子無法被充分利用。對(duì)于硅而言，大于1100nm的太陽光不能被吸收，而這部分占據(jù)太陽光光譜能量的20%；對(duì)于帶隙更大的鈣鈦礦而言，不能被利用的太陽光顯著增多。因此，若能夠充分吸收這些低能紅外光子并實(shí)現(xiàn)高效轉(zhuǎn)換，將可在現(xiàn)有基礎(chǔ)上顯著提升對(duì)太陽能的利用率。為此，窄帶隙紅外光伏材料被視為實(shí)現(xiàn)低能紅外光子利用的關(guān)鍵所在。當(dāng)前，III-V族化合物和Ge是窄帶隙光伏材料的典型代表。但是這類半導(dǎo)體材料制備工藝復(fù)雜、成本較高，...

與單晶或多晶Ga2O3相比，非晶Ga2O3材料具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。本研究開發(fā)出了一種具有超高性能和柵極可調(diào)光檢測(cè)能力的非晶Ga2O3日盲場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管，并對(duì)其光電性能進(jìn)行了全面調(diào)研。射頻磁控濺射用于在經(jīng)濟(jì)的Si/SiO2襯底上沉積非晶GaOx薄膜。通過施加適當(dāng)?shù)谋硸烹妷海╒G），可以很好地控制場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管的光電性能和暗電流。制成的日盲型GaOx薄膜場(chǎng)效應(yīng)光電晶體管具有出色的深紫外光光電探測(cè)特性，包括4.1×103AW-1的超高光敏性，2.5×1013Jones的高探測(cè)率...

日盲光電探測(cè)器對(duì)波長(zhǎng)在220-280nm范圍內(nèi)的光敏感，在軍事和商業(yè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，例如光學(xué)追蹤、光通信和成像。得益于*的材料和電學(xué)特性，包括良好的熱學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性、優(yōu)異的抗輻照性能以及直接對(duì)應(yīng)日盲區(qū)域的光探測(cè)波長(zhǎng)，寬禁帶半導(dǎo)體材料具備更顯著的優(yōu)勢(shì)。在過去的幾年里，由于Ga2O3相關(guān)材料的優(yōu)異的抗輻照特性、良好的熱穩(wěn)定性以及4.7-5.3eV直接對(duì)應(yīng)于日盲波段的超寬禁帶寬度，已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注。目前，幾乎所有關(guān)于Ga2O3PDs的研究都是基于a-或β-Ga2O3材料，...